N tipidagi yarimo'tkazgich hosil bo'lish printsipi
Ikkala doping va nuqsonlar ham o'tkazuvchanlik zonasida elektron kontsentratsiyasining oshishiga olib kelishi mumkin. Germaniya va kremniyga asoslangan yarimo'tkazgichli materiallar uchun doping guruhi V elementlari (fosfor, margimush, antimon va boshqalar), ifloslik atomlari germaniyni panjarada 1-almashtirish bilan almashtirganda, kremniy atomlari kovalent bog'lanishni qondirishdan tashqari qo'shimcha elektron ham berishi mumkin. , yarimo'tkazgichda o'tkazuvchanlik diapazoni elektron kontsentratsiyasining o'sishini hosil qiladi, bunday nopoklik atomlari donorlar deb ataladi. B-Ⅴ aralash yarimo'tkazgich donorlari ko'pincha IV guruh yoki VI guruh elementlarini qabul qilishadi. Ba'zi oksidli yarimo'tkazgichlar, masalan, ZnO, Ta2O5 va boshqalar, kimyoviy nisbat ko'pincha gipoksik bo'ladi, bu kislorodning bo'sh joylari donorlarning rolini ko'rsatishi mumkin, shuning uchun bu oksid turi odatda elektron o'tkazuvchanlikdir, ya'ni Bu N tipidagi yarimo'tkazgich. Vakuumda isitish kislorod etishmovchiligi darajasini yanada kuchaytirishi mumkin, bu esa kuchli elektron o'tkazuvchanlik sifatida namoyon bo'ladi.